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    SK海力士4D闪存再突破:全球始个做到量产128层

    近日,SK海力士宣布,已经成功研发并批量生产128层堆叠的4D NAND闪存芯片,固然包括SK海力士在内众家厂商都研发出了1Tb QLC闪存,但这是TLC闪存第一次达到单颗1Tb。距离往年量产96层4D闪存只昔时了八个月,SK海力士还外示,正在研发176层堆叠的下一代4D NAND闪存。

    SK海力士的4D NAND闪存技术是往年10月份官宣的,SK海力士这次操纵TLC设计开发新产品,相比先前96层操纵的QLC,TLC的性能、处理速度都有了分歧水平的升迁,还答用了垂直蚀刻、众层薄膜颗粒形成、矮电力回路设计等技术,制造出堆栈3600亿以上NAND颗粒、128层的1Tb产品,不光达到业界最高堆栈数。,也超越三星电子量产的90层NAND。

    行使这栽架构设计,SK海力士在从96层堆叠到128层堆叠时,固然层数。增补了三分之一,但是制造工艺步锐缩短了5%,集体投资也比之前缩短了60%。新的128层4D闪存单颗容量1Tb,是业内存储密度最高的TLC闪存,每颗晶圆可生产的比特容量也比96层堆叠增补了40%。

    SK海力士有关人士外示,新闪存能够在1.2V电压下实现1400Mbps的数。据传输率,可用于高性能、矮功耗的手机存储、企业级SSD。

     


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